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項目概況：
武漢國家存儲器基地位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城未來三路，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目。武漢國家存儲器基地為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐，是國家重點支持的集成電路四大產業聚區之一，努力打造世界級的集成電路產業創新中心。我司再次簽約國家存儲基地熱水工程，確保全年基地熱水需求。
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